  |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
 Это интересно!Новости Нужна антенна? Просто пшикни из баллончика! Новый подход в тестировании объемных кристаллов Семь университетов США пытаются создать квантовую память Петербургский метрополитен переходит на российские светодиоды
Российский рынок электроники 2011/2012: итоги и прогнозы США – самая вредоносная страна в мире От R2-D2 и Терминатора до «Аватара»
Новый стратегический план развития полупроводниковых технологий (ITRS)
РанееЗапущено производство коллоидных квантовых точекПервая очередь производства коллоидных квантовых точек (полупроводниковых кристаллов размером от единиц до десятков нм) была запущена в действие в научно-технологическом испытательном центре «Нанотех-Дубна». Cree совершила прорыв по показателю цена/эффективность светодиодовCree совершила прорыв в области светодиодных технологий, создав источник света, у которого отношение лм/долл. в два раза превышает показатели стандартных светодиодов. Кроме того, новые изделия характеризуются самой высокой светоотдачей. Наноструктуры повысят КПД солнечных батарейВ последние годы ученым удалось значительно уменьшить толщину фотоячеек с помощью вспомогательных структур, размер которых не превышает длины волны видимого света. |
10 февраля 2012 Plessey приобретает технологию производства мощных светодиодовPlessey Semiconductors приобрела компанию CamGaN, получившую известность за создание технологии GaN-на-кремнии.П
роприетарная технология CamGaN позволит компании Plessey коммерциализировать производство мощных GaN-светодиодов на 6-дюймовых кремниевых подложках. Это приобретение, как следует из заявления Plessey, поставит ее в ряд первых компаний, которым удастся успешно освоить коммерческое производство мощных светодиодов по стандарту 6-дюймовых подложек.
Plessey рассчитывает на то, что стоимость светодиодов, изготовленных на основе материала GaN-on-Si, окажется на 80% ниже по сравнению со светодиодами, выращенными на карбидокремниевых или сапфировых подложках. Такая экономия затрат становится возможной за счет испытанного на практике технологического процесса, обеспечивающего меньший процент брака, минимального времени обработки и автоматизированного оборудования. Plessey будет производить в этом году мощные светодиоды с эффективностью 150 лм/Вт. По словам Джона Эллиса (John Ellis), главного инженера Plessey, самой большой технологической проблемой, которая препятствует коммерциализации мощных светодиодов, выращенных на больших кремниевых подложках, является несоответствие между решетками GaN и кремния. Полученный технологический процесс GaN-на-кремнии позволяет преодолеть это препятствие. Компанией CamGaN, аффилированной с центром Cambridge Center for Gallium Nitride, руководит Колин Хэмфри (Colin Humphreys). CamGaN уже более 10 лет работает в области прикладных исследований технологии GaN, в которые были инвестированы 16 млн долл. Помимо CamGaN над применением технологий GaN в других приложениях работают еще две начинающие компании. Стартап EpiGaN отделился от межуниверситетского научно-исследовательского института Microelectronics Center. Эта компания осваивает технологию GaN-на-кремнии с использованием 6- и 8-дюймовых пластин для производства силовых полупроводников. Компания Transphorm, запустившая производство силовых ИС на основе 6-дюймовых пластин, собирается перейти на 8-дюймовые пластины в ближайшие 2–5 лет. Источник: EETimes Читайте
также: Комментарии0 / 0
0 / 0
|
   Комментарии читателейГорячие темы |
||||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
|||||||||||
| |
|
|||||||||||
Кремниевая долина: возрождение Америки?
