  |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
 Это интересно!Новости Нужна антенна? Просто пшикни из баллончика! Новый подход в тестировании объемных кристаллов Семь университетов США пытаются создать квантовую память Петербургский метрополитен переходит на российские светодиоды
Российский рынок электроники 2011/2012: итоги и прогнозы США – самая вредоносная страна в мире От R2-D2 и Терминатора до «Аватара»
Новый стратегический план развития полупроводниковых технологий (ITRS)
РанееApplied открывает эру интеллектуальных установок травленияС целью снижения стоимости производства 3D-микросхем, а также других приложений компания Applied Materials приступила к серийному производству интеллектуальных систем травления с высокой производительностью. Новый формат карт памяти позволит увеличить их емкость до 2ТБКорпорации SanDisk, Nikon и Sony объявили о совместной разработке набора спецификаций для профессиональных цифровых фотоаппаратов и видеосъемки. Доказана возможность создания квантовых жестких дисковИсследователи из Калифорнийского института технологий показали, что благодаря явлению квантовой сцепленности можно одновременно передавать целые блоки квантовой информации, что доказывает концепцию создания квантовых жестких дисков. |
7 декабря Intel и Micron сообщают о создании новой технологии NAND-памятиВо время Международной встречи по электронным устройствам (International Electron Device Meeting, IEDM) корпорации Intel и Micron Technology подробно рассказали о новейшей разработке 25-нм технологии производства NAND-памяти. Для участников этого мероприятия был припасен сюрприз: оказалось, это первая технология с воздушным зазором в коммерческих кристаллах.У
Intel и Micron имеется совместное предприятие по разработке кристаллов памяти – IM Flash Technologies LLC. Эти две компании уже анонсировали и поставили первые партии 25-нм NAND-компонентов. Однако до сих пор ничего не сообщалось об использовании воздушного зазора в качестве диэлектрика в ячейках памяти. «Это первое коммерческое применение технологии воздушного зазора», – заявил Дик Джеймс (Dick James), аналитик из компании Chipworks. Многие компании, включая IBM, только намеревались разработать данный метод. В докладе Intel и Micron сообщается о 64-Гбайт MLC-устройстве (Multi-Level Cell –многоуровневая ячейка). Половина ячейки памяти площадью 0,0028 мкм2 отведена числовой 24,5-нм шине, другая половина – 28,5-нм разрядной шине. Ячейка формируется методом уменьшения шага с использованием 193-нм иммерсионной литографии, которая позволяет оптимизировать неровности краев и вариации критических размеров. На 25 нм 5-% отклонение от критического размера составляет примерно 3 кристаллических решетки кремния. Глубину профиля щели нельзя намного изменить из-за ограничивающего соотношения 7:1. Любая структурная диспропорция может привести к смещению канала до 10 нм при изменении критического размера всего на 3 нм. Управление структурными изменениями необходимо для того, чтобы получить требуемое распределение электрического заряда в ячейках NAND-массива. Значительное изменение шага числовой шины приводит к увеличению емкости между слоями числовых шин, а также взаимного влияния ячеек. Чтобы преодолеть эти затруднения, между слоями числовых и разрядных шин были созданы воздушные промежутки.
Источник: EETimes
Комментарии0 / 0
0 / 0
|
   Комментарии читателейГорячие темы |
||||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
|||||||||||
| |
|
|||||||||||
Кремниевая долина: возрождение Америки?
