6ede5789
 
 Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 23 февраля
 
 


Это интересно!

Ранее

Новый сканер отпечатков пальцев работает на расстоянии

Американская корпорация Advanced Optical Systems (AOS) представила сканер нового поколения, способный распознавать человеческие отпечатки пальцев на расстоянии до двух метров.

USB-микроскопы Dino-Lite с большим рабочим расстоянием

Высокое расположение микроскопа над фокальной плоскостью и весьма широкое поле обзора – уникальные свойства USB-микроскопов Dino-Lite серии 413TL, отличающие их от китайских клонов, требующих размещения оптики вплотную к объекту наблюдения и потому делающих невозможной всякую работу под объективом.

Intel и Micron сообщают о создании новой технологии NAND-памяти

Во время Международной встречи по электронным устройствам (International Electron Device Meeting, IEDM) корпорации Intel и Micron Technology подробно рассказали о новейшей разработке 25-нм технологии производства NAND-памяти. Для участников этого мероприятия был припасен сюрприз: оказалось, это первая технология с воздушным зазором в коммерческих кристаллах.

 

25 января

«Универсальная» память вместо флэш-памяти и DRAM

В Университете Северой Каролины разработана технология «универсальной» памяти, сочетающей быстродействие DRAM с энергонезависимостью и плотностью флэш-памяти.

Н

овая технология на основе полевых транзисторов с двойным плавающим затвором позволит снизить энергопотребление памяти в компьютерах всех типов, начиная от мобильных до настольных устройств, а также от серверных систем до центров обработки данных.

«Память, созданная на основе новой структуры с двойным плавающим затвором (см. рис.), будет такой же быстрой, как и DRAM, и столь же часто обновляться, но ее плотность сравнима с плотностью флэш-памяти», – заявил профессор Пол Францон (Paul Franzon) из Университета Северной Каролины.

Если в нынешней энергонезависимой памяти используются одиночные плавающие затворы, сохраняющие заряды в соответствии с логическими состояниями 0 или 1, то в технологии двойных плавающих затворов один из них используется для хранения разряда в энергонезависимой памяти, а второй – в энергозависимой. Таким образом, происходит переключение между статическим и динамическим режимами работы компьютерной памяти в одном цикле, причем данные не исчезают в промежуточном состоянии.

Электронная микрофотография поперечного сечения структуры полевого транзистора с двойным плавающим затвором
Электронная микрофотография поперечного сечения структуры полевого транзистора с двойным плавающим затвором

В двойных плавающих затворах происходит прямое туннелирование при сохранении заряда, представляющего собой биты информации. Этот механизм используется вместо горячей инжекции электронов, которая реализована во флэш-памяти. Первый плавающий затвор требует обновления заряда с той же частотой, что и в ячейке DRAM-памяти (каждые 16 мс). При увеличении напряжения значение заряда передается на второй плавающий затвор, который работает, как флэш-память, обеспечивающая долгосрочное энергонезависимое хранение.

В процессе работы компьютера полевые транзисторы с двойным плавающим затвором функционируют как обычная оперативная память. Но в моменты бездействия вычислительной системы значения зарядов, а, следовательно, и сами данные, передаются на второй плавающий затвор, чтобы прекратить подачу электропитания на кристаллы памяти. Как только требуется получить доступ к данным, второй плавающий затвор передает хранящийся заряд на первый затвор, и нормальная работа компьютера восстанавливается.

В настоящее время проходят испытания новой универсальной памяти на усталость, которая может возникнуть при повторяющихся циклах сохранения и получения данных из плавающих затворов и привести к исчезновению информации. Так, например, флэш-память работает в условиях таких высоких напряжениях при горячей инжекции электронов, что может выдержать лишь около 10 тыс. циклов чтения/записи данных. Полевые транзисторы с двойным плавающим затвором работают при более низких напряжениях, но лишь продолжительное циклическое тестирование способно подтвердить работоспособность прототипов.

Если опытные образцы пройдут все испытания, исследователи приступят к изготовлению полупроводниковой памяти нового типа. Эту задачу они надеются осуществить к следующему году.

Источник: ЭК

Оцените материал:

Источник: ИД Электроника

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 
 
 





Руководителям  |  Разработчикам  |  Технологам  |  Снабженцам
© 2007 - 2012 green-online
Создание сайта — > ®
Контакты