6ede5789
 
 Вход |  Регистрация
 
 
Время электроники Четверг, 23 февраля
 
 


Это интересно!

Ранее

«Универсальная» память вместо флэш-памяти и DRAM

В Университете Северой Каролины разработана технология «универсальной» памяти, сочетающей быстродействие DRAM с энергонезависимостью и плотностью флэш-памяти.

Новый сканер отпечатков пальцев работает на расстоянии

Американская корпорация Advanced Optical Systems (AOS) представила сканер нового поколения, способный распознавать человеческие отпечатки пальцев на расстоянии до двух метров.

USB-микроскопы Dino-Lite с большим рабочим расстоянием

Высокое расположение микроскопа над фокальной плоскостью и весьма широкое поле обзора – уникальные свойства USB-микроскопов Dino-Lite серии 413TL, отличающие их от китайских клонов, требующих размещения оптики вплотную к объекту наблюдения и потому делающих невозможной всякую работу под объективом.

 

31 января

Новые транзисторы: молибденит как альтернатива кремнию

Исследователи из Федеральной политехнической школы Лозанны (École Polytechnique Fédérale de Lausanne, EPFL) обнаруживали, что молибденит (molybdenite) может быть использован вместо кремния при создании полупроводниковых кристаллов.

И

спользуя молибденит, возможно создавать меньшие по размерам и более экономичные электронные чипы. Исследование, выполненое в Лаборатории наноэлектроники и наноструктур (Laboratory of Nanoscale Electronics and Structures, LANES) показало, что молибденит, или MoS2, весьма эффективный полупроводник. В настоящее время молебдонит применяют как легирующий элемент при производстве стали и как добавку в смазочных материалах.

Однако ученые считают, что молибденит может быть использован в микроэлектронике, поскольку имеет ряд преимуществ перед традиционным кремнием и графеном. Профессор Андрас Кис (Andras Kis) из EPFL объясняет, что молибденит – это двумерный материал, очень тонкий и легкий, в связи с чем он годится для изготовления сверхминиатюрных транзисторов, светодиодов (LED) и солнечных элементов

В пластине из MoS2 толщиной 65 нм электроны перемещаются с той же легкостью, что и 2 нм пластине из кремния, что позволяет и дальше снижать размеры чипов, что при использовании кремния невозможно. На основе молибденита можно также изготавливать транзисторы, потребляющие в 100,000 раз меньше энергии в состоянии покоя, чем современные кремниевые приборы.

Результаты исследования опубликованы в январском номере журнала Nature Nanotechnology. Подробности здесь.

Оцените материал:

Источник: EETimes

Комментарии

0 / 0
0 / 0

Прокомментировать







 
 
 





Руководителям  |  Разработчикам  |  Технологам  |  Снабженцам
© 2007 - 2012 green-online
Создание сайта — > ®
Контакты