  |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
 Это интересно!Новости Нужна антенна? Просто пшикни из баллончика! Новый подход в тестировании объемных кристаллов Семь университетов США пытаются создать квантовую память Петербургский метрополитен переходит на российские светодиоды
Российский рынок электроники 2011/2012: итоги и прогнозы США – самая вредоносная страна в мире От R2-D2 и Терминатора до «Аватара»
Новый стратегический план развития полупроводниковых технологий (ITRS)
РанееПростой способ реализации трехуровневой логикиИдея использовать три состояния вместо двух не нова. Вот, например, как с помощью двух выводов АПЦ микроконтроллера получить возможность различить 9 состояний. IBM создает 9-нм транзисторы на углеродных нанотрубкахУглеродные нанотрубки привлекают внимание исследователей не только своими механическими свойствами, но и возможностью применения в электронных устройствах. Недавно ученым IBM удалось создать транзистор размером 9 нм на основе цилиндрических углеродных структур. Кто и когда придумал пароли?Про секретность не всерьез. |
10 февраля 2012 Исследователи получили новую модификацию оксида гафнияИсследователи Кембриджского университета разработали новую модификацию оксида гафния, который применяется в современном производстве микросхем. В настоящее время изучается возможность его использования в энергонезависимой памяти нового типа.Г
руппа исследователей под руководством Эндрю Флюитта (Andrew Flewitt) создала новую модификацию оксида гафния (HfO2) с диэлектрической проницаемостью, которая в 30 раз больше стандартных значений 20–25, которыми характеризуются аморфная и кристаллическая модификации этого химического соединения. Возможно, новая модификация оксида гафния найдет применение в пластической электронике, крупносерийном полупроводниковом производстве, в оптических покрытиях и в создании элементов солнечных батарей с более высоким КПД.
Эндрю Флюитт с пленкой из оксида гафния Оксид гафния получил широкое применение в качестве подзатворного диэлектрика транзисторов HKMG (high-K metal gate), изготавливаемых с помощью техпроцессов с нормами 45, 32 нм и ниже. Более высокая диэлектрическая проницаемость новой модификации оксида гафния позволит уменьшить и ускорить транзисторы на чипах, открыть новые возможности для создания электронных и оптоэлектронных изделий следующего поколения. Прогресс в исследованиях группы Флюитта был достигнут благодаря усовершенствованию стандартной технологии распыления HiTUS (High Target Utilization Sputtering). Новый материал создан с помощью высокоскоростного процесса осаждения при комнатной температуре. Как правило, оксиды металла осаждаются на подложки путем напыления – технологии, в которой атомы электрода извлекаются в результате бомбардировки его тяжелыми положительными ионами. Однако такой процесс не позволяет контролировать плотность осаждаемого материала. С помощью технологии HiTUS создаются альтернативные варианты модификаций оксида гафния с лучшими характеристиками, чем у уже известных структур. Оксид гафния имеет ряд различных кристаллических и поликристаллических структур: моноклинную, кубическую и ромбическую. Однако для нужд производства электроники требуется аморфная модификация этого материала, т.к. поликристаллические межзёренные границы выступают в роли межсоединений и уменьшают удельное сопротивление, ухудшая его изолирующие свойства. До сих пор у аморфного оксида гафния диэлектрическая проницаемость равнялась 20. По словам Флюитта, исследователям удалось показать, что аморфный оксид гафния существует в кубической, а не только в моноклинной модификации, как многие до сих пор полагали. Аморфные диэлектрики в большей мере гомогенные, чем другие модификации, что обеспечивает более высокую степень единообразия характеристик устройств, а отсутствие межзеренных границ способствует повышению удельного сопротивления, а также меньшему оптическому рассеянию. Источник: EETimes Читайте
также: Комментарии0 / 0
0 / 0
|
   Комментарии читателейГорячие темы |
||||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
|||||||||||
| |
|
|||||||||||
Кремниевая долина: возрождение Америки?
