  |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
 Это интересно!Новости Нужна антенна? Просто пшикни из баллончика! Новый подход в тестировании объемных кристаллов Семь университетов США пытаются создать квантовую память Петербургский метрополитен переходит на российские светодиоды
Российский рынок электроники 2011/2012: итоги и прогнозы США – самая вредоносная страна в мире От R2-D2 и Терминатора до «Аватара»
Новый стратегический план развития полупроводниковых технологий (ITRS)
РанееОбнаружен новый тип электронного взаимодействияУченые из университета Нового Южного Уэльса (UNSW) обнаружили новый тип взаимодействия между электронами одноатомного кремниевого транзистора. Возможно, это открытие ляжет в основу создания электронных устройств нового типа. Исследователи получили новую модификацию оксида гафнияИсследователи Кембриджского университета разработали новую модификацию оксида гафния, который применяется в современном производстве микросхем. В настоящее время изучается возможность его использования в энергонезависимой памяти нового типа. Простой способ реализации трехуровневой логикиИдея использовать три состояния вместо двух не нова. Вот, например, как с помощью двух выводов АПЦ микроконтроллера получить возможность различить 9 состояний. |
15 февраля 2012 Технология DSA выходит на производственный уровеньImec запускает первую в мире производственную линию прямой самосборки (DSA – Directed Self-Assembly).Б
лагодаря использованию блока кополимеров данная технология печати превосходит по возможностям оптическую печать и обеспечивает частотную мультипликацию. Метод позволяет уменьшить шаг печати и устранять дефекты или восстанавливать периодичную структуру в исходном трафарете. Научно-исследовательский центр обладает всем необходимым оборудованием для DSA, набором метрологических инструментов, в т.ч. средствами обнаружения дефектов, и средствами переноса рисунка.
Линии из полистерола шириной 14 нм и расстоянием 28 нм, изготовленные методом DSA, после удаления РММА (слева) и демонстрация возможности устранения пробела в трафарете 200 нм (справа) Источник: imec Комментарии0 / 0
0 / 0
|
   Комментарии читателейГорячие темы |
||||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
|||||||||||
| |
|
|||||||||||
Кремниевая долина: возрождение Америки?
