  |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
 Это интересно!Новости Нужна антенна? Просто пшикни из баллончика! Новый подход в тестировании объемных кристаллов Семь университетов США пытаются создать квантовую память Петербургский метрополитен переходит на российские светодиоды
Российский рынок электроники 2011/2012: итоги и прогнозы США – самая вредоносная страна в мире От R2-D2 и Терминатора до «Аватара»
Новый стратегический план развития полупроводниковых технологий (ITRS)
РанееТехнология DSA выходит на производственный уровеньImec запускает первую в мире производственную линию прямой самосборки (DSA – Directed Self-Assembly). Обнаружен новый тип электронного взаимодействияУченые из университета Нового Южного Уэльса (UNSW) обнаружили новый тип взаимодействия между электронами одноатомного кремниевого транзистора. Возможно, это открытие ляжет в основу создания электронных устройств нового типа. Исследователи получили новую модификацию оксида гафнияИсследователи Кембриджского университета разработали новую модификацию оксида гафния, который применяется в современном производстве микросхем. В настоящее время изучается возможность его использования в энергонезависимой памяти нового типа. |
17 февраля 2012 И снова — шумный спор о мемристорахНа сайте arXiv.org, представляющем собой крупнейший архив научных статей по физике, математике, астрономии, информатике и биологии, разгорелась нешуточная дискуссия на тему о мемристоре — возможном компоненте энергонезависимой памяти будущего.
Профессор Хенгсук Ким (Hyongsuk Kim), факультет электронной техники Национального университета Чонбука, и двое его коллег опубликовали статью, в которой утверждается, что смыкающиеся петли гистерезиса указывают на мемристивные признаки того или иного устройства. Статья профессора Кима опровергает выводы опубликованной ранее статьи Блеза Мутте (Blaise Mouttet), который сделал выводы об ошибочности предположения о том, что все кривые гистерезиса определяют мемристоры. Термин «мемристор» используется для описания двухполюсных энергонезависимых устройств памяти, которые разрабатываются в настоящее время и могут иметь широкое коммерческое применение. Таким образом, дискуссии о мемристорах носят не только академический характер. Если Мутте пытается доказать, что выводы профессора Леона Чуа (Leon Chua), создателя теории мемристора в Профессор Чуа использует термин «мемристор» для описания четвертого фундаментального двухполюсного пассивного элемента наряду с резистором, конденсатором и катушкой индуктивности. Компания Hewlett-Packard начала еще до 2008 г. разрабатывать технологию резистивной памяти RAM металл-оксидного типа на основе мемристора. Мутте заявил, что запоминающее устройство, которое разрабатывается в лаборатории HP Labs, не является мемристором и относится к более широкому классу систем с переменным сопротивлением. Этот класс систем охватыват резистивную память RAM (RRAM, или ReRAM), память с изменением фазового состояния (PCM), или PCRAM, память с проводящим мостом (conductive-bridging RAM, CBRAM), а также сегнетоэлектрическую RAM (FRAM). Архив arXiv.org был создан для предварительной публикации статей, которые на заре появления интернета распространялись по электронной почте. Публикации на этом ресурсе не рецензируются. Источник: EETimes Читайте также: Комментарии0 / 0
0 / 0
|
   Комментарии читателейГорячие темы |
||||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
|||||||||||
| |
|
|||||||||||
Кремниевая долина: возрождение Америки?
